石英晶体微天平 MIPS
铝离子检测仪 MIPS
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纳米等离子体传感分析仪 XNano
超高真空原子层沉积系统 UHV
手套箱集成原子层沉积系统
等离子增强原子层沉积系统 PEALD E200SP
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产品简介 脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统能发射高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。在靶材上的非平衡提取（烧灼）能使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在 zui 佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。 产品特点 * 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED * 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格 * 氧化物薄膜沉积时氧气兼容 * 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock * 可附加的沉积源：脉冲激光与射频直流溅射 * 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统 脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例 * 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜 * 顺电(Ba-SrTiO3) 薄膜 * 金属氧化物(SrRuO3) 薄膜 * 隔热/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜 * 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜 技术指标 zui 小束截面: 8 x10-2 cm2 zui 大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 zui 大直径2"，zui 小10x10mm2 zui 高温度：850 ℃ 本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr 涡轮分子泵转速由软件控制 真空腔 18" 直径的球形腔体
8"CF 窗口
6.75"CF PED 源窗口
3 个6"CF 窗
额外的2.75" 与1.33"CF 窗口PED源 电子枪能量：8-20 keV
脉冲能量：zui 大能量800 mJ
zui 小能量100 mJ
工艺气体压强: 3-20 mTorr
工艺气体: 氧气，氮气，氩气
脉冲能量变化: ±10%
脉冲宽度: 100 ns
zui 大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV
XY 向对准范伟: +/- 20 mm
火花塞寿命 ~3x107 脉冲基片加热器
基片加热器：兼容1 个大气压的氧压
加热器温度通过可编程的PID 控制多靶材旋转台 6 个1" 的靶材或3 个2" 的靶材
靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM)
靶材栅格式扫描
独特的靶材栅格化烧蚀方案
靶材索引，镀多层薄膜
靶材高度可调
靶材挡板避免靶材间的交叉污染
提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力PED系统软件 Windows 7, LabVIEW 2013
控制基片加热台
控制靶材公转台
控制真空泵
控制质量流量计
外部的PED 源触发器
可选的工艺自动化选项真空泵 干泵，涡轮分子泵 
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